電子級EW-I/II/III/IV超純水系統(tǒng)概述：

當(dāng)今半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需要大量的純水、超純水清洗成品、半成品。集成電路的集成度越高，線寬越窄，對水質(zhì)的要求也越高。目前我國電子工業(yè)部把電子級超純水為四個等級，分別為EW-I級≥18MΩ·cm，全硅≤2ug/L、EW-II級≥15MΩ·cm，全硅≤10ug/L，EW-III級≥12MΩ·cm，全硅≤50ug/L、EW級≥0.5MΩ·cm，全硅≤100ug/L 以區(qū)分不同的電子級超純水水質(zhì)。其中對于超純水關(guān)鍵的指標如：電導(dǎo)率（電阻率）、總硅、PH值、顆粒度、微生物等均由不同的要求。因此線路板、電路板使用純水、超純水因為本身工藝流程的不同對超純水制造的工藝也不同。

1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線 器→拋光混床→精密過濾器→用水點(≥18MΩ.CM)

2、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線 器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(≥18MΩ.CM)

3、預(yù)處理系統(tǒng)→一級反滲透→加藥機(PH調(diào)節(jié))→中間水箱→第二級反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線 器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(≥17MΩ.CM)

4、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線 器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(≥15MΩ.CM)

5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線 器→精密過濾器→用水點 (≥15MΩ.CM)

電子半導(dǎo)體超純水系統(tǒng)通常直接接入國家自來水標準的水為源水，通常有多介質(zhì)過濾器，活性炭過濾器，精密過濾器等構(gòu)成預(yù)處理系統(tǒng)，另有RO反滲透主機系統(tǒng)，離子交換混床（EDI電除鹽系統(tǒng)）系統(tǒng)等構(gòu)成主要設(shè)備系統(tǒng)。系統(tǒng)水箱設(shè)有液位控制系統(tǒng)、水泵設(shè)有高低壓壓力保護裝置、在線水質(zhì)檢測控制儀表、電氣采用模塊化組合PLC，及通信遠程輸送至中控室上位機，實現(xiàn)現(xiàn)場就地和集中控制兩種操作方式，降低了人工的操作復(fù)雜度和維護工作量等，同時在工藝選材上采用推薦和客戶要求相統(tǒng)一的方法，或者公司可按照客戶對于水質(zhì)的要求進行特殊定制，既能 用水水質(zhì)達標，同時降低了所需成本，使該設(shè)備與其他同類產(chǎn)品相比較，具有更高的性價比和設(shè)備可靠性。

電子級EW-I/II/III/IV超純水系統(tǒng)用水標準：

符合美國ASTM純水水質(zhì)標準、電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標準、美國半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標、日本集成電路水質(zhì)標準、國內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質(zhì)標準

電子級超純水系統(tǒng)選型表：

注：1、設(shè)備尺寸僅供參考，可根據(jù)用戶需求進行量身定做；

1、電解電容器生產(chǎn)鋁箔及工作件的清洗

2、電子管生產(chǎn)、電子管陰極涂敷碳酸鹽配液

3、顯像管和陰極射線管生產(chǎn)、配料用純水

4、黑白顯像管熒光屏生產(chǎn)、玻殼清洗、沉淀、濕潤、洗膜、管頸清洗用純水

5、液晶顯示器的生產(chǎn)、屏面需用純水清洗和用純水配液

6、晶體管生產(chǎn)中主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制

7、集成電路生產(chǎn)中高純水清洗硅片

8、半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路

9、LCD液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏

10、高品質(zhì)顯像管、螢光粉生產(chǎn)

11、半導(dǎo)體材料、晶元材料生產(chǎn)、加工、清洗

12、超純材料和超純化學(xué)試劑、超純化工材料